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晶焱科技推出低操作電壓ESD保護元件2014/11/27

 

由於擁有更大的頻寬可傳輸大量的資料,USB3.1、HDMI2.0、Thunderbolt 2等高速傳輸介面應用即將漸漸取代前一代規格的傳輸介面。隨著半導體製程技術的進步,晶片可藉由降低操作電壓,達到低功耗、高速傳輸的需求,使電子產品更省電、效能更佳。然而,由於操作電壓的降低,在電子產品遭受ESD衝擊時晶片更容易導通而遭到ESD的損毀。針對這些低操作電壓系統如2.5V或1.2V產品,如果選用一般3.3V或5V的ESD保護元件,由於ESD保護元件在ESD事件發生期間所提供的導通電壓(trigger voltage)與箝制電壓(clamping voltage)不夠低,這些ESD保護元件無法有效的迅速導通來保護晶片,ESD能量會經由內部受保護的functional IC導通放電,造成永久的損傷。因此,ESD保護元件在ESD事件發生期間所提供的導通電壓與箝制電壓必須要夠低,除了提供受保護電路免於遭受靜電放電的衝擊而造成永久的損傷,還要能確保訊號傳輸不會受到ESD的干擾。
晶焱科技擁有先進的ESD防護設計技術。針對低操作電壓系統,利用自有專利技術設計提供最完整的ESD解決方案。針對2.5V以下操作電壓,晶焱科技推出AZ6225-01F,提供低箝制電壓、高ESD耐受度的防護元件,供系統產品於ESD測試時最佳的防護效果,適用於操作在2.5V及以下之電源端或控制訊號端。為符合電子產品輕薄小巧、易於攜帶的需求,AZ6225-01F為DFN1006P2E (0402)的封裝,以達到在PCB設計上兼具高聚集度及高度彈性的優勢。利用傳輸線脈衝系統(TLP),可量測ESD保護元件在ESD測試時的箝制電壓。圖一為AZ6225-01F之TLP量測結果,觀察TLP電流為17A (等效IEC 61000-4-2接觸模式6kV測試)時的箝制電壓,其箝制電壓僅有4.5V,可提供受保護電路有效的ESD防護。AZ6225-01F本身提供IEC61000-4-2 ESD 30kV的防護能力。除此之外,AZ6225-01F也提供IEC61000-4-5雷擊防護的功能,其雷擊耐受電流達20A,可有效避免系統電源端EOS (Electrical Over Stress)問題。
另針對1.2V以下操作電壓,晶焱科技推出AZ6112-01F,利用自有專利技術設計將保護元件的導通電壓進一步降低到3.5V,提供操作在1.2V及以下之電源端或控制訊號端有效的ESD防護。AZ6112-01F之TLP量測結果如圖二所示。AZ6112-01F同樣為DFN1006P2E (0402)的封裝,以達到在PCB設計上兼具高聚集度及高度彈性的優勢。AZ6112-01F本身提供IEC61000-4-2 ESD 15kV的防護能力。AZ6112-01F同樣提供IEC61000-4-5雷擊防護的功能,其雷擊耐受電流達12A,可有效避免系統電源端EOS (Electrical Over Stress)問題。
隨著消費者對電子產品的使用品質要求越來越高,系統操作電壓越來越低,ESD保護元件的導通電壓與箝制電壓也需要設計得越來越低,晶焱科技將持續發展更先進的防護設計技術來滿足這項需求。

                                                                   

 

                                                                      

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